Оперативная память SODIMM 1GB DDR3 1066 Samsung

Подробные характеристики

Общие характеристики

Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1066 МГц
Пропускная способность 8500 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги

CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Дополнительно

Напряжение питания 1.5 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца