Товар дняУспей купить
Артикул:
Цена
Розничная цена:840 тг.840 тг.экономия0 тг.
шт В корзину Подписаться В корзине Купить в 1 клик
В кредит
В наличиимало
Доставка
  • Идёт загрузка...
Сообщить об ошибке
Описание


Параметры и характеристики.
Марка транзистора: FDD8778
FDD8778 - поиск PDF даташита и описания для FDD8778  
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 39 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 25 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 35 А
Предельная температура (Tj): 175 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.014 Ом
Корпус: TO252_DPAK

Ссылка на datasheet:: http://alltransistors.com/mosfet/transistor.php?transistor=5947
Оцените товар:
Ваше имя
Достоинства

Недостатки

Комментарий

Отправить
Тут еще никто ничего не писал, стань первым!
Список просмотренных товаров пуст
Список сравниваемых товаров пуст
Список избранного пуст
Ваша корзина пуста
AlfaSystems GoPro GP261D21
Яндекс.Метрика
Уважаемые клиенты, у нас новое поступление: матрицы, микросхемы, клавиатуры, аккумуляторы. Прайс во вложении.
×