IRF6635TR1PBF

Характеристики
Выбрать все
Производитель    Infineon Technologies    

Серия    HEXFET®    

Part Status    Obsolete    

Упаковка    Cut Tape (CT)    

Вид монтажа    Surface Mount    

Корпус    DirectFET™ Isometric SQ    

Технология    MOSFET (Metal Oxide)    

Рабочая температура    -40°C ~ 150°C (TJ)    

Исполнение корпуса    DIRECTFET™ SQ    

Рассеивание мощности (Макс)    2.2W (Ta), 42W (Tc)    

Тип полевого транзистора    N-Channel    

Особенности полевого транзистора    -    

Напряжение сток-исток ( (Vdss)    30V    

Ток стока (Id) @ 25°C    14A (Ta), 60A (Tc)    

Rds On (Max) @ Id, Vgs    7.3 mOhm @ 14A, 10V    

Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id    2.4V @ 25µA    

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs    17nC @ 4.5V    

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds    1430pF @ 15V    

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)    4.5V, 10V    

Vgs (Max)    ±20V