IRF6635TR1PBF

Товар дняУспей купить
Артикул:
Цена
Розничная цена:1 336 тг.1 336 тг.экономия0 тг.
шт В корзину Подписаться В корзине Купить в 1 клик
В кредит
В наличиимало
Доставка
  • Идёт загрузка...
Сообщить об ошибке
Описание


Характеристики
Выбрать все
Производитель    Infineon Technologies    

Серия    HEXFET®    

Part Status    Obsolete    

Упаковка    Cut Tape (CT)    

Вид монтажа    Surface Mount    

Корпус    DirectFET™ Isometric SQ    

Технология    MOSFET (Metal Oxide)    

Рабочая температура    -40°C ~ 150°C (TJ)    

Исполнение корпуса    DIRECTFET™ SQ    

Рассеивание мощности (Макс)    2.2W (Ta), 42W (Tc)    

Тип полевого транзистора    N-Channel    

Особенности полевого транзистора    -    

Напряжение сток-исток ( (Vdss)    30V    

Ток стока (Id) @ 25°C    14A (Ta), 60A (Tc)    

Rds On (Max) @ Id, Vgs    7.3 mOhm @ 14A, 10V    

Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id    2.4V @ 25µA    

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs    17nC @ 4.5V    

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds    1430pF @ 15V    

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)    4.5V, 10V    

Vgs (Max)    ±20V    

Такого товара не существует

Оцените товар:
Ваше имя
Достоинства

Недостатки

Комментарий

Символы на картинке


Отправить
Тут еще никто ничего не писал, стань первым!
Список просмотренных товаров пуст
Список сравниваемых товаров пуст
Список избранного пуст
Ваша корзина пуста
AlfaSystems GoPro GP261D21
Яндекс.Метрика
Уважаемые покупатели, на нашем сайте ведутся технические работы, поэтому некоторые товары, категории могут не отображаться.
Всеми актуальными товарами и ценами можете ознакомиться в прайс листе по ссылке
×