Товар дняУспей купить
Описание
Характеристики
Выбрать все
Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус DirectFET™ Isometric SQ
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса DIRECTFET™ SQ
Рассеивание мощности (Макс) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
Такого товара не существует
Тут еще никто ничего не писал, стань первым!