Транзистор FDD8778 N-Channel PowerTrench® MOSFET

Параметры и характеристики.
Марка транзистора: FDD8778
FDD8778 - поиск PDF даташита и описания для FDD8778  
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 39 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 25 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 35 А
Предельная температура (Tj): 175 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.014 Ом
Корпус: TO252_DPAK

Ссылка на datasheet:: http://alltransistors.com/mosfet/transistor.php?transistor=5947