NTHD4102PT1G

Спецификация
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 2
Длина 3.1мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения5,5 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 32 нс
Максимальный непрерывный ток стока 4.1 A
Тип корпусаChipFET
Максимальное рассеяние мощности 2,1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина1.7мм
Maximum Gate Threshold Voltage 1.35 V, 1.5 V
Высота 1.1мм
Максимальное сопротивление сток-исток 170 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Размеры 3.1 x 1.7 x 1.1мм
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 7,6 нКл при 4,5 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 750 пФ при -16 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В